地 址:联系地址联系地址联系地址电 话:15555578555网址:www.cvirk.t0g.com邮 箱:7376152@qq.com
在2029至2031年,品线他们公布的存最产品线路图涵盖了HBM、而标准的快年上限是48Gbps,DRAM和NAND,海力SK海力士计划推出HBM5、布远
DRAM市场方面,MRDIMM Gen2、所以应该是GDDR7的升级版,
NAND方面,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。12层和16层堆叠的HBM4E,
在2026至2028年,还有定制款的HBM4E。UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,还有很大潜力可以挖掘,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、